近年来随着光电产业的快速发展，高集成度和高性能的半导体晶圆需求不断增长，硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃以及磷化铟等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大幅提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已经不再适用，于是在部分工序引入了激光隐形切割技术。

       激光切割技术具有诸多独特的优势：

       1、非接触式加工：激光的加工只有激光光束与加工件发生接触，没有刀削力作用于切割件，避免对加工材料表面造成损伤。

       2、加工精度高，热影响小：脉冲激光可以做到瞬时功率极高、能量密度极高而平均功率很低，可瞬间完成加工且热影响区域极小，确保高精密加工，小热影响区域。

       3、加工效率高，经济效益好：激光加工效率往往是机械加工效果的数倍且没有耗材无污染。 半导体晶圆的激光隐形切割技术是一种全新的激光切割工艺，具有切割速度快、切割不产生粉尘、无切割基材耗损、所需切割道小、完全干制程等诸多优势。隐切切割主要原理是将短脉冲激光光束透过材料表面聚焦在材料中间，在材料中间形成改质层，然后通过外部施加压力使芯片分开。

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